Soitec mise sur la 6G : des résultats record dévoilés au MWC 2026

Un programme de recherche pluriannuel sur la technologie 6G

Soitec et NTU Singapore ont conduit ensemble un programme de recherche d'une durée de quatre ans portant sur la connectivité 6G de prochaine génération. Cette collaboration a donné lieu à trois articles techniques de référence, démontrant les hautes performances de dispositifs en nitrure de gallium (GaN) réalisés sur les plaquettes d'épitaxie avancées de Soitec. Ces résultats constituent une étape majeure pour la connectivité 6G dans les bandes de fréquences FR3 et millimétriques (mmWave).

Des performances record en GaN sur silicium

L'équipe de recherche conjointe NTU-Soitec, s'appuyant sur les substrats épitaxie spécialisés GaN sur silicium développés chez Soitec Belgique, a atteint une densité de puissance associée à une efficacité ajoutée de puissance (PAE) record à faible tension, compatible avec l'alimentation sur batterie des terminaux. Les chercheurs de NTU ont obtenu des niveaux de PAE supérieurs à 60 % en mmWave. Ces résultats démontrent la capacité du GaN sur silicium à combiner très hautes performances radiofréquence avec les atouts des plateformes silicium en matière de coût, de passage à l'échelle et d'intégration.

Implication pour les futurs terminaux mobiles et infrastructures 6G

Par rapport aux solutions traditionnelles à base d'arséniure de gallium (GaAs), le GaN-on-Si peut offrir une puissance de sortie plus élevée, une meilleure gestion thermique et une complexité système réduite, tout en permettant des architectures de modules radiofréquence plus compactes et plus efficaces. Ces avancées ouvrent la voie à des stations de base 6G plus compactes et plus sobres en énergie, ainsi qu'à une nouvelle génération de terminaux mobiles, tout en accélérant la maturation de l'écosystème mondial du GaN sur les marchés des infrastructures et du grand public.